| 研究課題/領域番号 |
15K06013
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
ASUBAR JOEL 福井大学, テニュアトラック推進本部, 講師 (10574220)
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| 研究分担者 |
葛原 正明 福井大学, 学術研究院工学系部門, 教授 (20377469)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | Gallium nitride / current collapse / power device / semiconductor / AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN / HEMT / Current Collapse / Breakdown Voltage / Stability / AlGaN-GaN / 窒化物半導体 / 電流コラプス / MIS / GaN / パワーデバイス / 自己発熱 / 多重台形チャネル / 酸素プラズマ処理 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題の目的は、マルチメサチャネル構造をAlGaN/GaN HEMT構造に適用し、上記の安定性および信頼性に関する問題を解決することである。MMC HEMTは電流コラプスおよびその他の不安定性に対して高い耐性を示し、有望なパワーデバイスの実現に向けて、有望なデバイス構造の一つになることが明らかになった。また、電流コラプスの対策法として、MMCと共に適用することができる、高圧水蒸気アニーリング、酸素プラズマ処理、フィールドプレートおよび金属 - 絶縁体 - 半導体構造についても評価をおこない、MMCとの同時併用が有望である可能性が示唆された。
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