| 研究課題/領域番号 |
15K06014
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋工業大学 |
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研究代表者 |
分島 彰男 名古屋工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (80588575)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / トランジスタ / リーク電流 / AFM / 電流AFM / AlGaN/GaN HEMT / 欠陥 / 転位 / 原子間力顕微鏡 / 透過型電子顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
GaN/Siトランジスタに発生する局所的なリーク電流の解析をおこなった。通常用いられる金属に変え、透明であるITOをゲート電極とし、リークによる発光を透明ゲート電極を通して確認することに成功した。複数のサンプルで、ゲートリーク電流と発光によるフォトン数の大小に相関があることも確認した。ゲート部の発光箇所直下のSTEM観察を行い、バッファ層に相当する箇所で異常な成長がおこっていることを確認した。
電極をつけないでリークを観察するために、AFM装置を用いてGaN系結晶の微小電流を測定することに成功した。微小電流が流れる箇所は、AFMで観察した表面形状との相関はなかった。
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