| 研究課題/領域番号 |
15K06017
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京理科大学 (2017)
鳥取大学 (2015-2016) |
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研究代表者 |
木下 健太郎 東京理科大学, 理学部第一部応用物理学科, 准教授 (60418118)
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| 研究分担者 |
伊藤 敏幸 鳥取大学, 工学研究科, 教授 (50193503)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | CBRAM / 細孔 / 溶媒添加 / イオン液体 / 溶媒和イオン液体 / 金属イオン / 導電性ブリッジメモリ / 多結晶薄膜 / 溶媒 / 溶媒添加効果 / 金属イオン含有イオン液体 / ナノ多孔体 / 抵抗変化メモリ / 動作電圧 / データ保持 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は「細孔エンジニアリング」の有効性の実証を目的とする. 本手法は(i)添加溶媒の種類，(ii)細孔サイズ, (iii)細孔壁の性質を通じてメモリ特性を制御するものである. 特に, 金属酸化物多孔体CBRAMにおいて, 添加溶媒の極性やpHがメモリ効果に決定的な影響を及ぼすことを明らかにした. 本研究にてCBRAMの性能を向上させる添加溶媒が多数開発された. 例えば, Cu2+やAg+を含有させたイオン液体を添加することで, 書き換え回数(SE)の著しい向上が実現した. 溶媒和イオン液体の添加により, Cu2+の陰極への接近を容易にし, SEに加えてスイッチング電圧の低下も実現した.
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