シリコンフォトニクス回路へのIII-V族量子ドットレーザ集積化に関する研究

• 研究課題/領域番号: 15K06029
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 下村 和彦 上智大学, 理工学部, 教授 (90222041)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2017年度)
• 配分額: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: シリコンフォトニクス / 半導体レーザ / 量子ドット / 集積化技術 / 有機金属気相成長 / InP / 変調器 / シリコン / 直接貼付 / 集積技術 / 光スイッチ

研究成果の概要

光インターコネクション技術の実用化のために、シリコン基板上にIII-V族量子ドットレーザを集積化するための研究を行った。これは我々が提案した、シリコン基板上にInP薄膜層を直接接合した基板を用いてIII-V族半導体デバイス層を結晶成長する方法、を用いている。有機金属気相成長により波長1.5μｍ帯GaInAsPダブルヘテロ構造を成長し、ファブリペローレーザを作製した。そして室温パルス発振を達成し、InP基板上レーザと同じしきい値電流密度を得ることに成功した。さらにシリコン基板上量子ドット構造の成長条件を把握し、電流注入による発光を達成した。

研究成果

• [雑誌論文] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP laser diode grown on hydrophilically directly bonded InP/Si substrate (2018)
  • 著者名/発表者名: M. Aikawa, Y. Onuki, N. Hayasaka, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, P. Gandhi Kallarasan, K. Uchida, H. Sugiyama and K. Shimomura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 57 号: 2S1 ページ: 02BB04-02BB04
  • DOI: 10.7567/jjap.57.02bb04
  • NAID: 210000148623
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lasing characteristics of 1.2 μm GaInAsP LD on InP/Si substrate (2018)
  • 著者名/発表者名: P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Physica Status Solidi A 巻: 215 号: 8
  • DOI: 10.1002/pssa.201700357
  • 査読あり
• [雑誌論文] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 55 号: 11 ページ: 1122011-7
  • DOI: 10.7567/jjap.55.112201
  • NAID: 210000147227
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Room-temperature operation of GaInAsP lasers epitaxially grown on wafer-bonded InP/Si substrate (2016)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, T. Kanke, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Applied Physics Express 巻: 9 号: 6 ページ: 0627011-3
  • DOI: 10.7567/apex.9.062701
  • NAID: 210000137931
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Emission wavelength control of self-catalytic InP/GaInAs/InP core-multishell nanowire on InP substrate grown by MOVPE (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Ogino, K. Asakura, K. Takano, T. Waho, and K. Shimomura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 55 号: 3 ページ: 031201-031201
  • DOI: 10.7567/jjap.55.031201
  • 査読あり
• [雑誌論文] 化合物半導体と異種材料との接合技術 (2016)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 雑誌名: O plus E 巻: 38 ページ: 139-147
• [学会発表] Lasing characteristics of 1.5μm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded inP/Si substrate (2018)
  • 著者名/発表者名: P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, X. Han, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPストライプレーザの閾値電流密度の共振器長依存性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 矢田拓夢, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 佐藤栄成, 松浦正樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性 (2018)
  • 著者名/発表者名: 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の検討 (2018)
  • 著者名/発表者名: 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希,下村和彦
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] シリコン基板上InP系半導体デバイス集積化技術 (2017)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: 2017年電子情報通信学会総合大会
  • 発表場所: 名城大学, 天白キャンパス, 名古屋
  • 年月日: 2017-03-24
  • 招待講演
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの基板加熱温度依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique (2017)
  • 著者名/発表者名: P. Gandhi Kallarasan, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki and K. Shimomura
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-16
• [学会発表] 直接貼付けInP/Si基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 早坂夏樹, 西山哲央,大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan Periyanayagam,相川政輝,内田和希,杉山滉一,下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上レーザ構造のアニール温度依存性評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 相川政輝,西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 杉山滉一, 早坂夏樹,内田和希,韓旭, Gandhi Kallarasan P., 下村 和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-15
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの電気特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 韓旭, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝,杉山滉一, 早坂夏樹,下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの低温発振特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 内田和希, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹,下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザ構造のX線回折評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 杉山滉一, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, Periyanayagam Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
  • 学会等名: 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP stripe laser integrated on InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Uchida, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., H. Sugiyama, M. Aikawa, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • 学会等名: The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Low threshold current of GaInAsP laser grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: H. Sugiyama, T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Uchida, and K. Shimomura
  • 学会等名: The 22nd OptoElectronics and Communications Conference
  • 国際学会
• [学会発表] Novel integration method for III-V semiconductor devices on silicon platform based on direct bonding and MOVPE growth (2017)
  • 著者名/発表者名: K. Shimomura
  • 学会等名: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration,
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Lasing characteristics of MOVPE grown 1.5µm GaInAsP LD using directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Hayasaka, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
  • 国際学会
• [学会発表] Bonding temperature dependence of GaInAsP/InP wafer grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: M. Aikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • 学会等名: 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
  • 国際学会
• [学会発表] 1.5μm laser diode on InP/Si substrate by epitaxial growth using direct bonding method (2017)
  • 著者名/発表者名: Gandhi Kallarasan P., T. Nishiyama, N. Kamada, Y. Onuki, and K. Shimomura
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro-Optics 2017
  • 国際学会
• [学会発表] Annealing temperature dependence of GaInAsP LD characteristics on InP/Si substrate fabricated by wafer direct bonding (2017)
  • 著者名/発表者名: Y. Onuki, T. Nishiyama, N. Kamada, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2017
  • 国際学会
• [学会発表] Lasing characteristics and temperature dependence of 1.5µm GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Kamada, T. Nishiyama, Y. Onuki, X. Han, Gandhi Kallarasan P., M. Aikawa, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, and K. Shimomura
  • 学会等名: Compound Semiconductor Week 2017
  • 国際学会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板におけるボイド占有率のアニール時間依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 早坂夏樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 松浦正樹, 矢田拓夢, 下村和彦
  • 学会等名: 第65回応用物理学会春季学術講演会
• [学会発表] 高機能・高集積光デバイスを支える異種材料貼り合わせ技術 (2017)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会2017年ソサイエティ大会
  • 招待講演
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPストライプレーザの室温発振特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 内田和希, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 杉山滉一, 相川政輝, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの低閾値構造の検討 (2017)
  • 著者名/発表者名: 杉山滉一, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 早坂夏樹, 内田和希, 下村和彦
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] Room temperature lasing operation of 1.5µm GaInAsP LD on InP/Si substrate (2017)
  • 著者名/発表者名: P. Gandhi Kallarasan, N. Kamada, Y. Onuki, K. Uchida, H. Sugiyama, N. Hayasaka, M. Aikawa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 韓旭, 鎌田直樹, 大貫雄也, P. Gandhi Kallarasan, 内田和希, 相川政輝, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザ閾値電流密度共振器長依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, P. Gandhi Kallarasan, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザの貼付アニール温度依存性 (2017)
  • 著者名/発表者名: 相川政輝, 大貫雄也, 早坂夏樹, 鎌田直樹, 韓旭, Gandhi Kallarasan P., 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
  • 学会等名: 第78回応用物理学秋季学術講演会
• [学会発表] Integration of GaInAsP Laser Diode on Direct-Bonded Thin Film InP-Si Substrate (2016)
  • 著者名/発表者名: G. Kallarasan, T. Nishiyama, K. Naoki, Y. Onuki and K. Shimomura
  • 学会等名: 第77回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ, 新潟
  • 年月日: 2016-09-16
• [学会発表] Lasing characteristics of GaInAsP laser diode grown on directly bonded InP/Si substrate (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, Y. Onuki, N. Kamada, and K. Shimomura
  • 学会等名: The 25th International Semiconductor Laser Conference (ISLC2016)
  • 発表場所: Kobe Meriken Park Oriental Hotel, Japan
  • 年月日: 2016-09-15
  • 国際学会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsPダブルヘテロレーザの発振特性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 鎌田直樹, 西山哲央, 大貫雄也, 韓旭, 下村和彦
  • 学会等名: 第77回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ, 新潟
  • 年月日: 2016-09-14
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜のInPテンプレート膜厚依存性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 大貫雄也, 西山哲央, 鎌田直樹, 韓旭, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一, 下村和彦
  • 学会等名: 第77回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ, 新潟
  • 年月日: 2016-09-14
• [学会発表] InP薄膜-シリコン基板への半導体結晶成長を用いた光デバイス集積化技術の検討 (2016)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦
  • 学会等名: 第4回集積光デバイスと応用技術研究会
  • 発表場所: NTT厚木研究開発センタ, 神奈川
  • 年月日: 2016-08-05
  • 招待講演
• [学会発表] S-K Growth of InAs quantum dots on directly-bonded InP/Si substrate using MOVPE (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Kamada, T. Sukigara, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Nishiyama, Y. Onuki and K. Shimomura
  • 学会等名: 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
  • 発表場所: TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
  • 年月日: 2016-07-06
  • 国際学会
• [学会発表] Low temperature lasing characteristics of GaInAsP double-hetero laser integrated on InP/Si substrate using direct wafer bonding (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Nishiyama, K. Matsumoto, J. Kishikawa, T. Sukigara, Y. Onuki, N. Kamada, T. Kanke, and K. Shimomura
  • 学会等名: 21st Optoelectonics and Communications Conference (OECC/PS 2016)
  • 発表場所: TOKI Messe Niigata Convention Center, Japan
  • 年月日: 2016-07-05
  • 国際学会
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 (2016)
  • 著者名/発表者名: 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 大貫雄也, 鎌田直樹, 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館, 東京
  • 年月日: 2016-06-17
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上結晶成長膜の接合強度およびPL強度の圧力依存性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 大貫雄也, 松本恵一, 岸川純也, 西山哲央, 鎌田直樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上InAs量子ドットの成長 (2016)
  • 著者名/発表者名: 鎌田直樹, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 大貫雄也, 松本恵一, 下村 和彦
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-21
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP-InPダブルヘテロレーザの低温発振特性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 西山哲央, 松本恵一, 岸川純也, 鋤柄俊樹, 大貫雄也, 鎌田直樹, 菅家智一,下村和彦
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-20
• [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 高野紘平, 荻野雄大, 朝倉啓太, 和保孝夫, 下村和彦
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-20
• [学会発表] 自己触媒VLS法によるn-InP/i-GaInAs/p-InPコアシェルナノワイヤの電気特性評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • 学会等名: 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東京工業大学大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] InP/Si直接貼付基板上へのInP系光デバイス集積化に関する研究 (2015)
  • 著者名/発表者名: 下村和彦, 松本恵一
  • 学会等名: 第23回シリコンフォトニクス研究会
  • 発表場所: 石川県政記念しいのき迎賓館, 金沢
  • 年月日: 2015-12-10
  • 招待講演
• [学会発表] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 鋤柄俊樹, 山元雄太, 西山哲央, 下村和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-16
• [学会発表] 直接貼付InP/Si 基板上MOVPE 法によるGaInAsP-InP ダブルヘテロレーザの集積 (2015)
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 山元雄太, 鋤柄俊樹, 西山哲央, 下村和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-16
• [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤのTMI供給量依存性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 朝倉啓太, 荻野雄大, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-15
• [学会発表] InAs/InPダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 西山哲央, 鋤柄俊樹, 鎌田直樹, 下村和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-14
• [学会発表] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアシェルナノワイヤの光学特性評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 荻野雄大, 朝倉啓太, 高野紘平, 和保孝夫, 下村和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-14
• [学会発表] 直接貼付InP/Si基板接合界面における電気特性評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 岸川純也, 松本恵一, 下村 和彦
  • 学会等名: 第76回応用物理学学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場, 名古屋
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Cavity length dependence on lasing characteristics of double-capped QDs laser (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Sukigara, Y. Yamamoto, T. Nishiyama, and K. Shimomura
  • 学会等名: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2015-08-27
  • 国際学会
• [学会発表] PL emission of InP/GaInAs/InP core-multishell NWs grown by self-catalytic VLS mode (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Ogino, K. Asakura, T. Waho, and K. Shimomura
  • 学会等名: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2015-08-27
  • 国際学会
• [学会発表] Characteristics of film InP layer and Si substrate bonded interface bonded by wafer direct bonding (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
  • 学会等名: 11th Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO-PR 2015)
  • 発表場所: Busan, Korea
  • 年月日: 2015-08-25
  • 国際学会
• [学会発表] Epitaxial Grown GaInAsP-InP laser on wafer bonded InP/Si substrate (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, Y. Kanaya, J. Kishikawa, Y. Yamamoto, T. Sukigara, T. Nishiyama, and K. Shimomura
  • 学会等名: 42nd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2015)
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
  • 年月日: 2015-07-01
  • 国際学会
• [学会発表] 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 (2015)
  • 著者名/発表者名: 松本恵一, 金谷佳則, 岸川純也, 下村和彦
  • 学会等名: 電子情報通信学会技術研究報告
  • 発表場所: 機械振興会館, 東京
  • 年月日: 2015-06-19
• [学会発表] GaInAs/InP MQW light-emitting diode fabricated on wafer bonded InP/Quartz substrate (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Matsumoto, M. Takasu, Y. Kanaya, J. Kishikawa, and K. Shimomura
  • 学会等名: Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2015)
  • 発表場所: San Jose, CA, USA
  • 年月日: 2015-05-15
  • 国際学会
• [図書] 量子ドット材料の技術と応用展開 (2017)
  • 著者名/発表者名: 長谷川雅樹, 村瀬至生, 福田武司, 中村彰一, 伊藤義文, 小俣孝久, 磯由樹, 磯部徹彦, 森良平, 杉本泰, 藤井稔, 立間徹, 北原洋明, 齋藤健一, 大庭英樹, 下村和彦, 岡田至崇
  • 総ページ数: 210
  • 出版者: 株式会社 情報機構
  • ISBN: 9784865021349
• [備考] 上智大学 下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [備考] 上智大学理工学部・機能創造理工学科 下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
• [備考] 上智大学下村研究室
  • URL: http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/