研究課題
基盤研究(C)
高周波電界中に半導体を設置して散乱体とし、そのバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーを持つ光を照射すると散乱効率を変化できる。この現象を利用して散乱波に変調を与え、遠方で変調散乱波を受信して電界を計測する光変調式誘電体散乱電界センサについて、周波数特性を計測し、また，半導体のキャリア寿命とセンサ性能との関係を明らかとした。その結果1－18GHzの周波数の電界計測を達成した。また、短パルス光励起による散乱波のパルス変調および高周波電界計測が可能なことを示すとともに、散乱体のキャリア寿命が短いほど計測の時間分解能が向上すること、キャリア寿命が長いほど高感度となることを明らかとした。
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