| 研究課題/領域番号 |
15K06435
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
塩田 忠 東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (40343165)
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| 研究分担者 |
篠崎 和夫 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (00196388)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 抵抗変化型メモリ / 量子化伝導 / 酸化物薄膜 / 微構造 / 結晶性 / 多値化 / 抵抗スイッチング |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、金属フィラメント型ReRAM（CBRAM）と酸素空孔フィラメント型ReRAM（VCM）の電気特性に及ぼす酸化物薄膜の膜質の影響を明らかにした。CuまたはAg/TaOx薄膜/Pt構造のCBRAMにおいて、薄膜の微構造が抵抗スイッチングと量子化伝導に及ぼす影響を検討し、ナノポーラス構造のTaOx薄膜が最も良好な量子化伝導特性を示すことが分かった。また、Au/Y2O3添加ZrO2(YSZ)薄膜/n型Si構造のVCMにおいて、YSZ薄膜の化学組成と結晶性が及ぼす影響について検討し、8mol%YSZエピタキシャル薄膜が最も良好な抵抗スイッチング特性と量子化伝導特性を示すことを明らかにした。
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