| 研究課題/領域番号 |
15K06442
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
上野 俊吉 日本大学, 工学部, 准教授 (60339801)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 共晶 / 耐環境皮膜 / 集光加熱 / 凝固 / 酸化物共晶皮膜 / 耐水蒸気腐食 / 共晶皮膜 / Al2O3-HfO2共晶 / 一方向凝固 / 傾斜機能層 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、エッジメンバーとしてハフニアを含む酸化物共晶系の耐環境皮膜をSiCセラミックス表面に成膜する手法を開発した。一例として、Al2O3-HfO2共晶に着目し、集光加熱法により共晶皮膜をSiC基材上へ成膜した。融液中のアルミナ成分はSiC基材上のCと反応して還元され、AlO種として融液から気相に除外され、融液中の組成はアルミナ不足の共晶となり、HfO2相が初晶としてSiC基材上に凝固して緻密な層を形成する。この相は基材に近いところがHfC-HfO2の傾斜機能層となる。Al2O3-HfO2共晶構造は、中間層である傾斜機能層のトップから直接成長する。
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