| 研究課題/領域番号 |
15K06443
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
無機材料・物性
|
|---|
| 研究機関 | 同志社大学 |
|---|
研究代表者 |
吉門 進三 同志社大学, 理工学部, 教授 (00158403)
|
|---|
| 研究協力者 |
木谷 遼介
下薗 宏祐
谷本 俊吾
佐藤 祐喜
大鉢 忠
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
|
|---|
| キーワード | 熱電変換素子 / ゼーベック係数 / メカニカルアロイング / 導電率 / ホール効果 / 伝導種の同定 / エピタキシャル成長 / Siの固容体 / 2珪化モリブデン / 珪素添加 / 高周波スパッタ法 / ホール係数 / 抵抗率の温度係数 / ボールミルメカニカルアロイング / 抵抗率 / 温度特性 / 電気伝導機構 / 新規組成 / モリブデンシリサイド / 新規組成合成 / 伝導機構 / 遊星ボールミル装置 |
|---|
| 研究成果の概要 |
2珪化モリブデン(MoSi2)にゼーベック係数の向上を目的として珪素(Si)を添加し、rfマグネトロンスパッタ法によりMoSiX (2.00≦X≦2.60)の成膜を行った。結晶構造解析、ホール効果測定装置の製作、導電率およびホール係数の温度依存性の測定、ゼーベック係数の測定、微細構造の観察を行い、以下のことを明らかにした。X≦2.30で過剰なSiは結晶中に固容している。サファイア基板のｃ面に対して（１１０）面のエピタキシャル膜が成膜された。ゼーベック係数はX増加すると増加した。伝導種の同定、伝導機構の提案を行った。メカニカルアロイングによる剪断摩擦により準安定β相が合成の可能性が示唆された。
|
