| 研究課題/領域番号 |
15K06446
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 仙台高等専門学校 |
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研究代表者 |
關 成之 仙台高等専門学校, 総合工学科, 准教授 (50449378)
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| 研究分担者 |
末永 貴俊 仙台高等専門学校, 総合工学科, 准教授 (90380998)
佐藤 友章 仙台高等専門学校, 総合工学科, 教授 (70261584)
内田 孝幸 東京工芸大学, 工学部, 教授 (80203537)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2016年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ナノミスト堆積法 / 傾斜機能構造 / 組成制御 / ミスト放出時混合 / 透明導電膜 / スズ添加酸化インジウム / 酸化インジウム / 酸化スズ / ナノミスト成膜装置 / 溶液調製時混合方式 / スズ添加 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、新奇2 chナノミスト発生装置を作製し、In2O3及びSnO2薄膜作製用溶液の両ミストを所定の組成比で噴霧可能なソフトウェアを開発し、In及びSnの組成を制御したIn-Sn-O系薄膜の作製に成功した。
ついで、動的組成制御に関する成膜タイムチャートを作成し、基板上に120 nm厚のIn2O3薄膜を堆積させ、ミスト放出時混合方式により連続的に0から12 at.% Snまで組成を傾斜させた120 nm厚のIn-Sn-O系薄膜を積層させることが出来た。
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