| 研究課題/領域番号 |
15K06451
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群) |
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研究代表者 |
石井 啓介 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 教授 (30257208)
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| 研究分担者 |
江阪 久雄 防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 教授 (40531992)
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| 連携研究者 |
田代 新二郎 防衛大学校, 電気情報学群, 教授 (00546062)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2017年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 圧電セラミックス / 非線形圧電性 / 非鉛 / 粒子配向制御 / 相境界 / テンプレート粒成長法 / 非鉛材料 / 板状結晶粒 / テンプレート / 一段階溶融塩法 / 圧延配向法 / 非鉛圧電材料 / BaTi2O5 / アルカリニオブ系セラミックス / 非線形圧電現象 / 電流跳躍現象 |
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| 研究成果の概要 |
(K,Na)NbO3セラミックスは代表的な非鉛圧電材料である。この(K,Na)NbO3セラミックスにおいて、結晶粒の成長方向を揃える粒子配向制御の非線形圧電性に及ぼす効果を調べた。NaやKのLi置換が非線形圧電性に及ぼす影響も合わせて調べた。配向度97%の配向試料では未配向試料と比して非線形圧電係数が1/6に減少した。(K,Na)NbO3系圧電セラミックスにおいて、粒子配向制御により非線形圧電性を低減可能であることが初めて確認された。更に、Li置換では非線形圧電係数が1/10以下になることが判明した。
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