| 研究課題/領域番号 |
15K06466
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
岡田 達也 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 教授 (20281165)
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| 連携研究者 |
富田 卓朗 徳島大学, 大学院社会産業理工学研究部(理工学域), 准教授 (90359547)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | シリコンカーバイド / フェムト秒レーザー / 電極 / フェムト秒レーザ / SiC / 結晶欠陥 / 相互拡散 / ダイヤモンド / 双晶化 / リップル |
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| 研究成果の概要 |
フェムト秒レーザー照射によりシリコンカーバイド（SiC）表面に改質を導入し，その後，ニッケル（Ni）薄膜を蒸着してアニールを行った。アニール温度400℃において，フェムト秒レーザー照射誘起改質がSiCを分解するNiの触媒作用を高め，NiとSiの相互拡散およびNiとSiの反応を促進し，Ni/SiC界面にNiシリサイド（NiとSiの化合物）が形成することが分かった。従来，SiC上にNi電極を形成する際には900℃以上のアニール温度が必要とされていたことに比べ，プロセスの大幅な低温化につながる可能性のある成果が得られた。
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