| 研究課題/領域番号 |
15K06505
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
稲垣 耕司 大阪大学, 工学研究科, 助教 (50273579)
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| 連携研究者 |
森川 良忠 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (80358184)
山内 和人 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10174575)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2017年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 触媒援用加工法 / シリコンカーバイド / 窒化ガリウム / エッチング / 水分子 / メタダイナミックス / 触媒反応 / Pt / NEB / GaN / SiC / H2O / HF / 解離吸着 |
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| 研究成果の概要 |
触媒援用加工法はワイドバンドギャップ半導体などの難加工材料の加工法として注目されている。本研究では、加工法の実用化を目指した改良のための指針を与えることを目指し、エッチング反応のメカニズムを第一原理計算を用いて原子レベルで解明した。また固液界面反応をさらに詳細に調べるための手法の開発にも取り組んだ。従来成功しているSiC―HF－Pt系ではなく水分子をエッチャントとして用いる反応系としてSiC―H2O－PtおよびGaN―H2O－Pt系の解析を行い、水分子解離吸着に伴うSi-C、Ga-N結合の切断過程を明らかにするとともに、室温レベルで反応が進行しうる低い反応障壁を実現できることが明らかとなった。
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