| 研究課題/領域番号 |
15K13271
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
藤澤 利正 東京工業大学, 理学院, 教授 (20212186)
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| 研究協力者 |
佐藤 裕也
高須 亮
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | フォノン共振器 / 量子ドット / 共振器電気力学 / 二重量子ドット / 量子ナノデバイス / ラビ分裂 |
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| 研究成果の概要 |
半導体におけるフォノン系と量子ナノデバイスの電子系とのエネルギー変換に関する研究を進めた。具体的には、AlGaAs/GaAs半導体ヘテロ構造上の周期的金属パターンにより表面弾性波フォノン共振器を形成し、その共振器中に置かれた半導体中二重量子ドットの輸送特性から、電子フォノン結合系を評価した。フォノン支援トンネルの特性から、共振器構造によってフォノン散乱速度が約８０倍に増大することを確認し、さらに、スピン反転を伴うフォノン支援トンネル現象を見出し、電子系とフォノン場とのコヒーレントに結合によるラビ分裂の効果が現れることを示した。フォノン版共振器量子電磁力学への発展性が見込まれる。
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