| 研究課題/領域番号 |
15K13276
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中村 芳明 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (60345105)
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| 連携研究者 |
吉川 純 独立行政法人 物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員 (20435754)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | エピタキシー / Si / 熱電材料 / ナノドット / エピキシー |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、ＳｉＧｅ/Ｓi界面での電子の波数保存則を成り立たせるように設計することで熱伝導率を低減させながらも、試料中の電気伝導率を増大させて、熱電特性の向上を図ることを目的とするものである。まず、本概念に基づく最適構造として、熱伝導率の低減を効率的に行う観点でSiGeナノドット/Ｓｉ積層構造を提案し、その形成方法を開発した。次に、波数による電子輸送操作の実証のために、SiGe/Si超格子の電気特性を調べた。その結果、Si薄膜と同等の移動度を得ることに成功した。提案した電子輸送が起こっているかどうかの実証には、更なる研究が必要であるが、予想の結果を得ることができた。
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