| 研究課題/領域番号 |
15K13345
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 千葉大学 |
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研究代表者 |
石谷 善博 千葉大学, 大学院工学研究院, 教授 (60291481)
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| 連携研究者 |
森田 健 千葉大学, 大学院工学研究院, 准教授 (30448344)
馬 ベイ 千葉大学, 大学院工学研究院, 助教 (90718420)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | LOフォノン / THz発光 / 界面フォノンポラリトン / THz吸収 / 量子干渉 / THz / 中赤外 / 輻射 / LOフォノン共鳴 / 電磁誘起透明化 / ファノ効果 / 金属半導体複合構造 / フォノンポラリトン / 電気双極子 / 縦光学フォノン / テラヘルツ波 |
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| 研究成果の概要 |
量子カスケードレーザ等で困難な室温以上かつ10THz程度の連続レーザ発振実現のため，狭帯域のフォノン・光相互作用幅に着目して半導体のLOフォノンやLOフォノン-プラズモン結合モードに共鳴する電気双極子輻射生成と光学利得をもたらす電磁誘起透明化の発現を研究目的とした。その結果多くの半導体で表面に金属ストライプを作製した構造でLO共鳴の電気双極子生成が確認され，GaAsでは約280/cmで半値幅13/cmの発光を628Kで観測した。GaInPでは2種LOフォノン生成と価電子帯間遷移の量子干渉により吸収スペクトル制御が可能であることが分かり，LOフォノン系での低閾値レーザの可能性が示された。
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