| 研究課題/領域番号 |
15K13351
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
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| 研究分担者 |
中野 智 九州大学, 応用力学研究所, 技術専門職員 (80423557)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | SiC / GaN / Aｌ203 / 転位 / 結晶成長 / Al203 / Al2O3 |
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| 研究成果の概要 |
本提案では、過去40年以上にわたって解決できなかった高精度結晶欠陥制御、特にデバイス特性に影響を与える転位密度の低減と制御を、転位増殖の実験結果に基づいた3次元非定常転位分布数値解析法の開発と結晶成長炉内熱流束精密制御により、極低転位密度結晶成長が可能な新規結晶成長法の提案と実証を行った。すなわち、SiC、GaN、そしてAl2O3単結晶の転位密度を定量的に予測できるようになった。結晶欠陥の定量予測が可能となったことにより、従来解析が不可能であった結晶内の3次元転位分布の予測が可能になった。
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