| 研究課題/領域番号 |
15K13355
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
柳原 英人 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (50302386)
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| 連携研究者 |
喜多 英治 筑波大学, 数理物質系, 教授 (80134203)
伊藤 博介 関西大学, 理工学部, 教授 (00293671)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 二次元界面伝導 / スパッタリング法 / 層状成長 / RHEED / 界面伝導 / 平坦化 |
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| 研究成果の概要 |
良質なMFe2O4/SrTiO3(001)界面を作製するために，その前段階としてγ-Al2O3 / SrTiO3 (001) ヘテロ界面の作成条件について詳細に検討した．酸化力の異なる酸化源を用いて反応性MBE法によってγ-Al2O3 / SrTiO3 (001) 構造を作製し，電気伝導特性の評価を行った．その結果，界面近傍の酸素欠損が伝導キャリア密度や不純物散乱に寄与していることが示唆された．
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