| 研究課題/領域番号 |
15K13374
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
大津 元一 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70114858)
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| 研究分担者 |
香取 眞理 中央大学, 理工学部, 教授 (60202016)
成瀬 誠 国立研究開発法人情報通信研究機構, 光ネットワーク研究所, 主任研究員 (20323529)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | シリコン / 間接遷移 / フォノン / アニール / 偏光 / 格子定数 / 確率モデル |
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| 研究成果の概要 |
ドレスト光子フォノン（DPP）援用アニール法によりSi製の高効率・高パワーLEDを作製した。DPP発生源としてのボロン原子は対をつくり、両原子の距離はSi結晶格子定数の3倍であった。また、原子対はDPP援用アニールの際に照射する光の入射方向と垂直面内、かつ偏光方向と垂直方向に向いた。同時に、メゾスコピック領域を記述する新しい数理科学モデルを構築し現象解明を試み、実験結果とよい一致をみた。また、ドレスト光子を介したランダム媒質中のエネルギー移動の統計モデルを構築した。
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