| 研究課題/領域番号 |
15K13377
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
中村 一隆 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (20302979)
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| 連携研究者 |
鹿野 豊 慶應義塾大学, 理工学部, 特任准教授 (80634691)
萱沼 洋輔 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任教授 (80124569)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 量子コヒーレンス / コヒーレントフォノン / フェムト秒パルス / 過渡反射率計測 / フェムト秒レーザー / コヒーレント制御 / 電子フォノン結合系 / フェムト秒光パルス |
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| 研究成果の概要 |
アト秒の時間精度で位相制御した光パルス列を用いて時間差をつけて固体内部に生成する量子状態間の干渉(量子コヒーレンス)を過渡反射率計測により検出する新しい方法（干渉型過渡反射率計測法）を開発した。半導体(GaAs)結晶を用いて電子フォノン結合系における量子コヒーレンス計測を行い、90Kの試料温度において50fs程度のあいだ電子コヒーレンスが保持されていることを明らかにした。
電子２準位系と調和振動子ポテンシャルを用いたモデル系を用いて、コヒーレントフォノン生成過程の量子力学的理論を開発した。系の時間発展は時間依存シュレディンガー方程式を２次の摂動論により計算し、密度演算子形式を用いて求めた。
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