金属酸化物のアモルファス化による機能発現

• 研究課題/領域番号: 15K13772
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 有機・ハイブリッド材料
• 研究機関: 金沢大学 (2016); 大阪大学 (2015)
• 研究代表者: 辛川 誠 金沢大学, 新学術創成研究機構, 准教授 (80452457)
• 研究協力者: 菅原 徹 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (20622038) ; 廣瀬 由紀子 大阪大学, 産業科学研究所, 技術補佐員
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円); 2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
• キーワード: 酸化物半導体 / アモルファス / アモルファス酸化物 / ｎ型半導体 / 太陽電池

研究成果の概要

本研究では金属酸化物系薄膜において、アモルファス化による電子物性制御と、デバイスにおいてそれが有益に機能し得ることを実証することを目的としている。
ジルコニアに続いて、ハフニアの薄膜でも、ｎ型半導体として機能している実験結果が得られた。ハフニアの性能が良好であった事をうけて、混合系を検討した。いずれの場合も、単一系よりもさらに良好な物性が得られた。この結果は、アモルファス酸化物の可能性を示すものであり、混合系における準位創出、利用がうまく機能したものと考えている。