| 研究課題/領域番号 |
15K13811
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
デバイス関連化学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
西川 浩之 茨城大学, 理学部, 教授 (40264585)
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| 連携研究者 |
近松 真之 産業技術総合研究所, 太陽光発電工学研究センター, 研究チーム長 (10415713)
志賀 拓也 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教 (00375411)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 有機エレクトロニクス / 半導体デバイス / 分子性導体 / 電気物性 / 磁性 / 金属錯体 / 有機薄膜デバイス / 電界効果トランジスタ / 分子磁性体 / 常磁性金属錯体 / 磁場応答デバイス / 電界効果型トランジスタ / 分子磁性伝導体 |
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| 研究成果の概要 |
分子性導体の主要構成分子であるテトラチアフルバレン（TTF）誘導体が常磁性金属イオンであるCu(II)イオンに配位したTTF-金属錯体を用いた電界効果トランジスタ（FET）の特性を向上させるため，TTF-金属錯体の誘導体を新たに合成し特性の向上を達成した。また，新しいシッフ塩基型錯体としてTTF部位を持たないsalphen錯体が大気中で安定に作動するFETデバイスを与えることを見出した。さらに，よりスピン多重度が大きな金属イオンと配位可能な新規TTF-配位子，ならびにその錯体の合成に成功し，強磁性相互作用を示すキューブ錯体や水素結合ネットワークを有する一次元チューブ状錯体の開発に成功した。
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