| 研究課題/領域番号 |
15K13927
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電力工学・電力変換・電気機器
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
矢野 浩司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (90252014)
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| 研究分担者 |
山本 真幸 山梨大学, 大学院総合研究部, 助教 (00511320)
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| 連携研究者 |
田中 保宣 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 総括研究主幹 (20357453)
八尾 勉 産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 (10399503)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | パワーデバイス / パルスパワー / SiC / ワイドバンドギャップ / 静電誘導トランジスタ / 高速半導体スイッチ |
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| 研究成果の概要 |
電圧パルス発生用の高速スイッチング半導体デバイスとしてSiC埋め込み型静電誘導トランジスタSiC-BGSIT)を適用しシミュレーションで同デバイスの最適設計および性能を予測した。その結果，シリコンの代表的なパルスパワー用デバイスである静電誘導サイリスタ(SIThy)と比較し、素子の損失を75%低減できることが明らかになった。これによりSiC-BGSITをパルス電源に適用した場合、冷却装置サイズを大幅に縮小可能となる。またSiC-BGSITの更なる性能向上のため同素子構造に遮蔽グリッド端子を付加したSiC遮蔽ゲート構造縦型JFET(SiC-SGVJFET)を提案し実験により性能を明らかにした。
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