| 研究課題/領域番号 |
15K13939
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2016年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 酸化物半導体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では太陽電池構造作製を目指して、ワイドギャップ半導体ヘテロバレント界面を原子レベルでコントロールすることを目的としている。まず、電子輸送層となる窒化物半導体を酸化物単結晶基板上に成長させ、その電気特性の評価を行った。安定化ジルコニア基板上良質なInGaN薄膜を得るためには、基板温度を480℃以下に低減する必要があり、また、低温成長させたInGaN薄膜の電子移動度はIn組成に強く依存することが明らかになった。さらに、窒化物/酸化物界面の不連続性を制御する目的で、酸窒化物混晶半導体の作製を行い、その基礎的な電気特性・構造特性を明らかにした。
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