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原子レベルに急峻な不純物プロファイルを持つMoS2 PN接合の形成と特性解析

研究課題

研究課題/領域番号 15K13941
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東京大学

研究代表者

鳥海 明  東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50323530)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
キーワード遷移金属カルコゲナイド / MoS2 / 原子層 / ランダムテレグラフィックシグナルズ / 2次元材料
研究成果の概要

Si基板上の熱酸化SiO2膜上に,テープ剥離法によって単層MoS2 FETを作成し特性を詳細に調べた。本研究では,PN接合を作製するよりも単層MoS2の伝導において観測されるrandom telegraphic signals (RTSs)に焦点をあてた。それは原子レベル単層膜では接合を含めて欠陥の影響が大きいと予測されるからである。さらに異なる欠陥間の相互作用や欠陥の位置もRTSsから議論することができるようになった。また意図的に導入した欠陥の解析も行われた。遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるRTSの観察、解析は世界でも初めてであり,今後さらに発展が期待される。

報告書

(3件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実施状況報告書
  • 研究成果

    (7件)

すべて 2017 2016 2015 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち国際共著 2件、 査読あり 2件) 学会発表 (4件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] "Experimental detection of active defects in few layers MoS2 through random telegraphic signals analysis observed in its FET characteristics"2017

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      2D Materials

      巻: 4 号: 1 ページ: 015035-015035

    • DOI

      10.1088/2053-1583/aa50c4

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] "Subthreshold transport in mono- and multilayered MoS2 FETs"2015

    • 著者名/発表者名
      N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 8 号: 6 ページ: 065203-065203

    • DOI

      10.7567/apex.8.065203

    • NAID

      210000137562

    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] "Random telegraphic signals observed in atomically thin MoS2 FETs"2016

    • 著者名/発表者名
      A. Toriumi, N. Fang and K. Nagashio
    • 学会等名
      5th International Symposium on Graphene Devices(ISGD 5)
    • 発表場所
      Brisbane (Australia)
    • 年月日
      2016-07-11
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] "Defect position analysis in MoS2 FETs by random telegraphic signals"2016

    • 著者名/発表者名
      方 楠、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都 目黒区)
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
  • [学会発表] "Direct Evidence of Defect-defect Correlation in Atomically Thin MoS2 Layer by Random Telegraphic Signals Observed in Back-gated FETs"2015

    • 著者名/発表者名
      N.Fang, K.Nagashio, and A.Toriumi
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2015)
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道 札幌市)
    • 年月日
      2015-09-29
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 「1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果」2015

    • 著者名/発表者名
      柴山 茂久、方 楠、矢嶋 赳彬、西村 知紀、長汐 晃輔、鳥海 明
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県 名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
  • [備考] 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 鳥海研究室 成果発表

    • URL

      http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp/publication.html

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書 2015 実施状況報告書

URL: 

公開日: 2015-04-16   更新日: 2018-03-22  

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