| 研究課題/領域番号 |
15K13951
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
渡部 平司 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90379115)
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| 連携研究者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90252600)
細井 卓治 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 電子・電気材料 / パワーエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
シリコンカーバイドは、高い絶縁破壊電界強度と熱伝導度を有し、次世代のパワーエレクトロニクス材料として期待されている。しかし、熱酸化で形成したSiO2/SiC界面には多量の欠陥が存在し、素子性能や信頼性が劣化することが問題となっている。本研究では、SiO2/SiC構造への電子線や光照射によってMOS界面の欠陥構造を改質し、その後の欠陥修復により特性に優れたSiC-MOSデバイスを実現することを最終的な目標としている。当該研究期間では、熱酸化SiO2/SiC界面に存在する発光性欠陥の詳細な評価と構造モデルを構築すると共に、紫外線照射を併用した熱酸化プロセスの基礎検討を実施した。
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