| 研究課題/領域番号 |
15K13955
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
堀田 昌宏 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (50549988)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2015年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 金属-絶縁体-半導体界面 / 超臨界水 / レーザーアニール / 絶縁膜 / MIS界面 |
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| 研究成果の概要 |
次世代半導体パワーデバイス用材料として有望視されている窒化ガリウム(GaN)において，良好な金属-絶縁体-半導体構造を形成すべく，GaNを酸化することにより酸化ガリウム(GaO)を形成する手法を検討した．GaNの直接酸化によりGaOを形成する手法に加えて，超臨界水処理によって形成する手法を検討した．超臨界水処理による直接酸化でGaOを形成するのは困難であるが，熱酸化により形成したGaOに対して超臨界水処理を行うことで，絶縁膜を改質できることが分かった．
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