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高指数面基板上の副格子交換エピタキシーによる半導体多層膜結合共振器の研究

研究課題

研究課題/領域番号 15K13956
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関徳島大学

研究代表者

北田 貴弘  徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任教授 (90283738)

研究分担者 井須 俊郎  徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任教授 (00379546)
熊谷 直人  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (40732152)
盧 翔孟  徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任助教 (80708800)
南 康夫  徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任准教授 (60578368)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
キーワード電子・電気材料 / 薄膜・量子構造 / 半導体非線形光学材料 / 微小光共振器 / テラヘルツ波発生
研究成果の概要

代表的なIII-V族化合物半導体であるガリウムヒ素薄膜の高指数(113)B面基板上へのエピタキシャル成長において、IV族元素であるゲルマニウムを中間層として挿入することにより、その上下で副格子の配列を交換して成長する副格子交換エピタキシーを実現した。この技術を利用することで、上下の共振器層で二次非線形感受率の符号が異なる分極反転型の半導体多層膜結合共振器をエピタキシャル成長だけで高品質に作製できることも実証した。未開拓周波数領域の電磁波であるテラヘルツ波を簡易に発生する新奇発光素子を実現させるうえで重要となる作製技術の開発に成功した。

報告書

(3件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実施状況報告書
  • 研究成果

    (3件)

すべて 2017 2016

すべて 学会発表 (3件) (うち国際学会 1件)

  • [学会発表] Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE2017

    • 著者名/発表者名
      Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
    • 学会等名
      The 44th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2017); B8-6
    • 発表場所
      Berlin (Germany)
    • 年月日
      2017-05-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] (113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器2017

    • 著者名/発表者名
      盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘
    • 学会等名
      2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会; 17a-B5-4
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県横浜市)
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換2016

    • 著者名/発表者名
      盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
    • 学会等名
      2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会; 15a-P11-13
    • 発表場所
      朱鷺メッセ(新潟県新潟市)
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書

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公開日: 2015-04-16   更新日: 2018-03-22  

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