研究課題/領域番号 |
15K13956
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研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 徳島大学 |
研究代表者 |
北田 貴弘 徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任教授 (90283738)
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研究分担者 |
井須 俊郎 徳島大学, 大学院ソシオテクノサイエンス研究部, 特任教授 (00379546)
熊谷 直人 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (40732152)
盧 翔孟 徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任助教 (80708800)
南 康夫 徳島大学, 大学院理工学研究部(連携), 特任准教授 (60578368)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 電子・電気材料 / 薄膜・量子構造 / 半導体非線形光学材料 / 微小光共振器 / テラヘルツ波発生 |
研究成果の概要 |
代表的なIII-V族化合物半導体であるガリウムヒ素薄膜の高指数(113)B面基板上へのエピタキシャル成長において、IV族元素であるゲルマニウムを中間層として挿入することにより、その上下で副格子の配列を交換して成長する副格子交換エピタキシーを実現した。この技術を利用することで、上下の共振器層で二次非線形感受率の符号が異なる分極反転型の半導体多層膜結合共振器をエピタキシャル成長だけで高品質に作製できることも実証した。未開拓周波数領域の電磁波であるテラヘルツ波を簡易に発生する新奇発光素子を実現させるうえで重要となる作製技術の開発に成功した。
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