| 研究課題/領域番号 |
15K13959
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
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| 研究分担者 |
宮嶋 孝夫 名城大学, 理工学部, 教授 (50734836)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 価電子帯制御 / 窒化物半導体 / アンチモン / 正孔 / トンネル接合 / 低温成長 / サーファクタント効果 |
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| 研究成果の概要 |
アニオン制御窒化物半導体GaNSbを創製し、価電子帯を上昇させて高正孔濃度・低抵抗p型半導体の実現を目指した。最大で1%のSbが添加できること、GaNSbでは800℃の低温成長であっても良好な表面平坦性が得られることがわかった。しかしながら、SbによりGaInN量子井戸の発光強度が大幅に低下することがわかり、使用を中止した。代わりにトンネル接合と低温成長n-GaNによる低温成長p側構造を実現した。
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