| 研究課題/領域番号 |
15K14130
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
弓野 健太郎 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (40251467)
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| 連携研究者 |
神子 公男 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (80334366)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 構造・機能材料 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 結晶成長 / 太陽電池 |
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| 研究成果の概要 |
金属触媒を用いた半導体薄膜の低温結晶化挙動の機構を解明することを目的として、微量のSiを蒸着したAg(111)表面を走査トンネル顕微鏡により観察した。加熱したSi/Ag(111)表面を室温で観察するとステップ形状が分単位で変形する流動的な相の形成が認められた。Ge/Au(111)においては、室温でGeを蒸着すると直ちにGe原子がAu層内へ拡散し、Si/Agと同様の流動相が認められた。これらの流動相は金属触媒に誘起された低温結晶化現象に関与していることが示唆される。
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