研究課題
若手研究(B)
半導体製造技術の進歩に伴い,集積回路は我々の生活に欠かせないものになっている一方で,集積回路の構成部品であるMOSトランジスタは経時的に特性が劣化することが知られている.数ある劣化現象の中でも,本研究はバイアス温度安定性(NBTI: Negative bias temperature instability)を対象としており,NBTI劣化のモデル化手法,NBTI依存のパス遅延劣化推定手法および劣化緩和手法の提案を通して,高い安全レベルを確保可能な高信頼プロセッサを実現した.
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すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (5件) (うち国際共著 1件、 査読あり 5件、 オープンアクセス 3件、 謝辞記載あり 3件) 学会発表 (31件) (うち国際学会 18件) 備考 (3件)
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