| 研究課題/領域番号 |
15K17433
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
荒井 美穂 東京大学, 生産技術研究所, 特任研究員 (20738588)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | ファンデルワールス接合 / 強磁性 / スピントロニクスデバイス / 原子層物質 / 強磁性体 / ファンデールワールスヘテロ構造 / 二次元原子層物質 / グラフェン / スピン注入 |
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| 研究成果の概要 |
近年グラフェン、h-BN、カルコゲナイド層状物質といった原子層物質を接合したファンデルワールスヘテロ構造(vdWヘテロ構造)の研究が急増している。しかし、強磁性を示す原子層物質を含む、vdWヘテロ構造は実現されていない。本研究では強磁性原子層物質を使用したFe0.25TaS2/ Fe0.25TaS2MTJ素子、Fe0.25TaS2/ Cr1/3TaS2vdWヘテロ接合を作製、その磁気抵抗を測定した。スピン偏極の平行・反平行状態によるトンネル磁気抵抗効果を観測することに成功した。この結果よりスピントロニクスデバイスとしてvdWヘテロ構造が応用できることを示した。
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