研究課題/領域番号 |
15K17459
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
結晶工学
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研究機関 | 三重大学 |
研究代表者 |
河村 貴宏 三重大学, 工学研究科, 助教 (80581511)
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研究協力者 |
森川 良忠 大阪大学, 工学研究科, 教授
森 勇介 大阪大学, 工学研究科, 教授
吉村 政志 大阪大学, レーザーエネルギー学研究センター, 教授
今出 完 大阪大学, 工学研究科, 准教授
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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キーワード | 窒化ガリウム / 結晶成長 / 第一原理計算 / Naフラックス成長 / OVPE成長 / 不純物 |
研究成果の概要 |
本研究では大型バルクGaN単結晶の開発に向け、Naフラックス法とOVPE法における結晶成長機構を明らかにすることを目的として、第一原理計算を用いた数値解析により、(1)Naフラックス成長におけるC添加による成長速度増加メカニズムの解明と(2)OVPE法における表面反応過程と結晶成長過程の解明、の2つの研究を行った。その結果、(1)ではC添加Naフラックス溶液中で安定に存在するCNイオンが結晶表面近傍ではC-N結合が分解しやすくなることを明らかにした。また(2)ではOVPE成長条件下における安定な結晶表面楮の解析を行い、結晶表面からのO不純物の脱離エネルギーの解析を行った。
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