| 研究成果の概要 |
本研究は，光・応力・電場・磁場といった摂動下における分光法を駆使することで，(Al,In,Ga)N系半導体の光物性を解明することを目的としている．
本研究を達成するために，まず応力下分光測定系・電場下分光測定系・および光照射下分光測定系といった新規測定系の構築を行った．そして構築した測定系を用いて(Al,In,Ga)N系半導体の光物性を評価し，具体的には緑色発光InGaN量子井戸構造の緩和・再結合ダイナミクスの新たなモデルの提唱，深紫外発光AlGaNの再結合ダイナミクスの時空間的考察，およびAlNの励起子微細構造に関する新たなモデルの提唱を行った．
|
