| 研究課題/領域番号 |
15K17496
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
量子ビーム科学
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| 研究機関 | 公益財団法人高輝度光科学研究センター |
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研究代表者 |
保井 晃 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門, 研究員 (40455291)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 光電子分光 / 磁気物性 / スピントロニクス材料 / 硬Ｘ線光電子分光 / 磁性多層膜 / 電子・磁気物性 / 放射光 / 磁性材料 |
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| 研究成果の概要 |
固体内部の電子状態解析が可能な硬X線光電子分光(HAXPES)を外部磁場印加条件下で測定可能にするための計測技術開発を行った。従来、磁場影響下での光電子分光は、光電子の放出角度が大きく曲げられ計測自体が困難であることから積極的に実施されてこなかった。光電子が高エネルギーであり、外場に強いHAXPESの利点を生かすとともに、試料からの漏洩磁場を磁気回路で低減させることで、永久磁石による0.4 Tの磁場印加下において磁性多層膜のHAXPES測定に成功した。
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