| 研究課題/領域番号 |
15K17699
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
近藤 晃弘 東京大学, 物性研究所, 助教 (00572819)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 近藤半導体 / 近藤絶縁体 / パルス強磁場 / 圧力下物性測定 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では近藤半導体CeT2Al10（T = Ru and Os）における特異な反強磁性秩序の発現機構解明を目的として、パルス強磁場中での圧力下物性測定を行った。パルス強磁場中で使用可能なNiCrAl製のピストンシリンダー型圧力セルを新たに開発し、試料空間が直径3mmで最大55T、2GPaでの磁気抵抗測定が可能となった。この圧力セルを用いてCeT2Al10系の圧力下磁気抵抗を測定し、反強磁性秩序の形成とスピンギャップとの相関や、c-f混成と異方的な交換相互作用との関係など、多くの知見を得ることに成功した。
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