| 研究課題/領域番号 |
15K17710
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
出村 郷志 東京理科大学, 理学部第一部物理学科, 助教 (90734939)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 超伝導 / BiS2系超伝導体 / 輸送特性評価 / STM測定 / 元素置換効果 / BiS2系超伝導 / 単結晶育成 / STM |
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| 研究成果の概要 |
2012年に発見された層状BiS2系超伝導体の超伝導機構解明のため、単結晶試料を用いた輸送特性評価及びSTM測定による電子状態観察を行った。その結果、CeO0.3F0.7BiS2やLaO0.5F0.5BiSe2単結晶の表面に現れる特殊な秩序構造の観測に成功した。これは、本物質の超伝導が何らかの秩序構造の近傍で発達することを示唆する。さらに、伝導層のBiの一部をPbに置換することにより、超伝導特性が向上することを発見した。これら発見は、BiS2系超伝導体の超伝導機構解明のための手がかりになると期待される。
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