| 研究課題/領域番号 |
15K17931
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
機械材料・材料力学
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| 研究機関 | 秋田大学 |
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研究代表者 |
趙 旭 秋田大学, 理工学研究科, 助教 (20650790)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 低温はんだ / エレクトロマイグレーション / バックフロー / Sn58Bi / 原子拡散 / Bi-rich層 / 臨界積 / 同時評価 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では次世代低温はんだであるSn58Bi (wt%)はんだの高密度電流下エレクトロマイグレーション(EM)損傷機構を解明し、はんだ接合の信頼性向上対策および金属リサイクル技術への応用を提案した。開発した最小長さが50μmはんだ接合を含め、異なる長さを有するはんだ接合試験片に基づいて、EM損傷発生の臨界条件を高精度に推定することを実現した。これと共に、はんだの寸法減少による金属間化合物層の成長挙動および局所的電気抵抗・温度の変化も調査した。さらに、人工保護膜コーティングまたは微量元素の添加によるSn58BiはんだのEM耐性向上対策を提案し、その効果を実証した。
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