研究課題/領域番号 |
15K18034
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研究種目 |
若手研究(B)
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配分区分 | 基金 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 熊本大学 |
研究代表者 |
谷田部 然治 熊本大学, 大学院先導機構, 助教 (00621773)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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キーワード | 窒化物半導体 / MIS構造 / 高電子移動度トランジスタ / 界面準位 / HEMT / MIS |
研究成果の概要 |
絶縁ゲート構造を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(AlGaN/GaN MIS HEMT)の、しきい値変動などの動作安定性・信頼性に係わる問題を解決するため、絶縁膜/AlGaN界面の界面準位密度の特性評価をおこない、AlGaN/GaN MIS HEMTをパワーデバイスへと応用する上で重要な知見を得た.容量―電圧特性の実験結果および理論的考察をもとに解析し、しきい値電圧変動は絶縁膜/AlGaN界面の界面準位に依存することが示唆された。また低ダメージの絶縁膜形成手法として有望なミスト化学気相成長法により、チタン酸アルミニウム薄膜を成膜することに成功した。
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