| 研究課題/領域番号 |
15K18042
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
石田 暢之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 先端材料解析研究拠点, 主任研究員 (10451444)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | ペロブスカイト太陽電池 / ケルビンプローブフォース顕微鏡 / その場電位計測 / 電位計測 / ポテンシャル計測 |
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| 研究成果の概要 |
ケルビンプローブフォース顕微鏡（KPFM）を用いた、太陽電池計測のためのその場電位計測技術を構築し、ペロブスカイト太陽電池の評価へ応用した。構築したシステムを用いて、光照射に伴うポテンシャル分布の変化を明瞭に観察し、かつ、定量的に測定することに成功した。また、光照射によって生じる変化分のみを抽出することでp-n接合の空間認識が可能であることを実証した。この手法を用いた評価から、p-n接合の位置（電荷分離が生じる場所）はペロブスカイト太陽電池の構造や材料組成によって変化することが分かった。今後はより多くのデバイスを評価することで、その要因を解明することがデバイス設計指針を得るために重要となる。
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