| 研究課題/領域番号 |
15K18043
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
大曲 新矢 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究員 (40712211)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2016年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / ホウ素ドープ / 低抵抗 / ウェハ / 化学気相成長法 / 欠陥 / 縦型パワーデバイス / 低抵抗ウェハ / 結晶成長 / 結晶構造 / 厚膜合成 / ドーピング / パワーデバイス / 省エネルギー / 低損失 |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンドは、SiC,GaNを凌駕する半導体物性値を複数有することから、次々世代の超低損失パワー半導体材料として期待されている。実用縦型デバイス構造では低抵抗ウェハが必要であるが、従来のCVD法では煤の発生、ドーピング効率の低下など結晶成長の不安定化が問題となっていた。本研究では、大面積合成に優位性のある熱フィラメントCVD法に着目し、高濃度ホウ素ドープによる低抵抗ウェハの作製に取り組んだ。その結果、1E21 cm-3を超える超高濃度ドープに成功し、ミリΩcm級の低抵抗ウェハを実現した。結晶品質は市販絶縁ウェハと同等であり、縦型ショットキー構造で高い整流動作を確認した。
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