| 研究課題/領域番号 |
15K18050
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 豊橋技術科学大学 |
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研究代表者 |
赤井 大輔 豊橋技術科学大学, エレクトロニクス先端融合研究所, 助教 (50378246)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2015年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 超音波トランスデューサ / pMUTアレイ / 超音波ビーム / 圧電薄膜 / pMUT / アニュラーアレイ / 振動解析 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、圧電薄膜型小型超音波トランスデューサアレイを実現し超音波ビームの形成を目指した。エピタキシャルPZT/SrRuO3(SRO)/Pt/γ-Al2O3/Si構造を用いたアニュラーアレイを設計・製作し有限要素解析結果との比較検討を行った。同心円(を模した六角形)状に形成したpMUTアレイを同時駆動することで、超音波ビームが形成され駆動する素子数に応じた送信音圧の向上および指向性が発生することが確認できた。これらの実測結果は、有限要素解析とのよい一致を見せ、pMUTアレイの設計が解析をベースに行えることもわかった。今後の小型pMUTアレイによる送受信素子の実現への展望を得た。
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