| 研究課題/領域番号 |
15K18058
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小松 克伊 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 研究員 (60748002)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | トポロジカル / グラフェン / バレー流 / 超格子 / 量子輸送 / 窒化ホウ素 / バリスティック伝導 / 量子バレーホール効果 / バレー軌道磁性 / 有機分子 / スピントロニクス / バレートロニクス / 有機物 / スピン / バレーホール効果 / ポルフィリン |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンと窒化ホウ素との超格子構造の高移動度デバイス作製に成功し、通常ゼロであるはずの非局所抵抗が、量子化抵抗のオーダーにまで達することを発見し,この結果がトポロジカルな原理に基づく量子バレー流の観測としてアメリカ科学振興協会誌Science Advancesに掲載された。このような超格子構造では、電子はバレーという量子力学的自由度を持ち、バレー流が電荷の流れを伴わずに発生することが予測されることから、第三のエレクトロニクスと言われるバレートロニクス、さらには量子光学的干渉素子やトポロジカルな超伝導量子情報素子など新しい量子エレクトロニクスへの展開が期待される重要な結果である。
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