| 研究課題/領域番号 |
15K18221
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
上野 慎太郎 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (40647062)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2017年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2016年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 誘電材料 / 複合材料 / セラミックス材料 / ソルボサーマル法 / エピタキシャル界面 / コアシェル構造 / セラミックス / 複合材料・物性 / 電子・電気材料 / 誘電体物性 / コンデンサ / 粒界絶縁型構造 / 界面制御 / 溶液プロセス / ゾル－ゲル法 |
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| 研究成果の概要 |
まず粒界絶縁型構造を持つ導電体/絶縁体複合コンデンサのモデルとして、チタン金属/チタン酸バリウム複合材料を、独自に開発した低温液相プロセスにより作製した。構造の微細化及び均一化により、10000を超える有効比誘電率と5%以下の低い誘電損失を広い周波数範囲で実現した。更に導電体/絶縁体間にエピタキシャル界面を導入するため、ニッケル酸ランタン(導電性ペロブスカイト)、およびチタン酸ビスマスカリウムなどの絶縁性ペロブスカイトからなるcore-shell粒子を作製し、エピタキシャル界面の導入を確認した。更に低温液相プロセスにより粒界絶縁型導電体/絶縁体複合セラミックコンデンサの作製に至った。
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