| 研究課題/領域番号 |
15K20878
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
岡 博文 東北大学, 多元物質科学研究所, 研究支援者 (70374600)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2016年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2015年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | スピン偏極STM / 強磁性ナノ構造 / スピン依存散乱 / 電子定在波 / スピン依存電子散乱 / ナノ構造 / 量子閉じ込め / スピン分解バンド構造 |
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| 研究成果の概要 |
強磁性金属へ電子が進入する際に、その界面での散乱確率は進入する電子のスピン方向と強磁性体の磁化方向に依存する。本研究は、ローカルプローブであるスピン偏極走査型トンネル顕微鏡を用いて、このスピン依存散乱現象を電子状態レベルかつナノメートルスケールで明らかにすることを目的とした。
Cu(111)基板上に形成したCoナノ構造は中心部分と縁部分で異なる電子状態をもつことがわかり、中心部分の電子状態は縁部分の電子状態に散乱され電子定在波を形成することがわかった。その結果、Coの中心部分から縁部分へ進入する電子のスピン方向と縁部分のスピン方向に依存して、縁での反射率が変化することを明らかにした。
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