| 研究課題/領域番号 |
15K20960
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
結晶工学
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
星井 拓也 東京工業大学, 工学院, 助教 (20611049)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2019-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2018年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2017年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | MBE / III-V族化合物半導体 / 半導体界面評価 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では低損失・高機能な半導体デバイスをシリコン基板上に作製するための薄膜バッファー結晶成長技術を検討するとともに、埋もれた成長界面層を評価するための電気的測定手法について研究した。
分子線エピタキシー装置でSi(111)基板上に成長したInAs薄膜には、成長初期には面内圧縮ひずみが導入されており、ある程度成長させると面内引張ひずみに転じることが分かった。また、結晶成長界面のような埋もれた界面の評価手法として、光インピーダンス測定法およびポテンシャル掃引アドミタンス法を検討し、準位密度分布などを評価できることを示した。
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は半導体デバイスのさらなる高機能化を目指すためのものであり、結晶成長技術を用いて異種材料を集積する高機能構造について知見を深めることができた。さらに直接的な評価の難しい埋もれた界面についての評価手法を提案・実証したことは、今後の材料開発およびデバイス開発において特性評価を通じた最適化の一助となると期待できる。これらの知見を得た過程や手法は異なる材料系においても普遍的に活用しうるものであると考える。
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