| 研究課題/領域番号 |
15K21145
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノマイクロシステム
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
田畑 博史 大阪大学, 工学研究科, 助教 (00462705)
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2016年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2015年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | ガスセンサー / 原子層薄膜 / グラフェン / 遷移金属ダイカルコゲナイド / ヘテロ接合 / ダイオード / 光起電力 / MoS2 / ショットキー障壁 |
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| 研究成果の概要 |
本研究課題では、ガス分子の吸着が、原子層薄膜同士のvdWsヘテロ接合界面の電気伝導特性に及ぼす影響を調べ、このヘテロ接合界面を利用した、ガスセンシングに有用な新規機能の探索を行った。WSe2/MoS2ヘテロ構造を用いたｐｎ接合デバイス、グラフェン/MoS2ヘテロ構造を用いたショットキー接合デバイスを作製し、NO2ガスに対するセンサー応答を調べた。WSe2/MoS2ヘテロ接合デバイスは、光照射下で光起電力型ガスセンサーとして動作すること、グラフェン/MoS2ヘテロ接合デバイスは、ショットキー障壁変調による巨大応答とその応答のバイアス電圧やゲート電圧による制御性を見出した。
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