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半導体電子スピン系量子コンピュータの要素技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 16031202
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関筑波大学

研究代表者

磯谷 順一  筑波大学, 大学院・図書館情報メディア研究科, 教授 (60011756)

研究分担者 梅田 享英  筑波大学, 大学院・図書館情報メディア研究科, 助教授 (10361354)
水落 憲和  筑波大学, 大学院・図書館情報メディア研究科, 講師 (00323311)
大島 武  独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (50354949)
研究期間 (年度) 2004 – 2005
研究課題ステータス 完了 (2005年度)
配分額 *注記
5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
2005年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
2004年度: 2,500千円 (直接経費: 2,500千円)
キーワード量子コンピュータ / 半導体物性 / 電子スピン / 炭化ケイ素 / ダイヤモンド / シリコン / パルス電子スピン共鳴 / 燐ドナー / スピン緩和
研究概要

固体素子量子コンピュータのうち、ビットの選択や論理ゲートの方式が提案されている半導体中のドナーを対象に、母結晶やドナーの種類を変えて、位相記憶時間(T_M)・スピン格子緩和時間(T_1)の温度依存性・ドナー濃度依存性・同種体組成依存性から、コヒーレンス持続時間を決める機構を明らかにした。電子スピンを用いる量子コンピュータで必要とされる〜100μsを超えるT_Mを、より高い温度領域で得るには、バレー・軌道相互作用による励起状態のOrbach過程によるスピン格子緩和がより高い温度領域で凍結することと、核スピンを持つ同位体の存在比が低い元素からなる半導体結晶の選択により核スピンのフリップ・フロップによる位相緩和を抑えることが重要であることが明らかになった。新しいドナーとして、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC中のシリコンを置換した燐ドナー及びダイヤモンド中の燐ドナーのESRスペクトルを見出したが、バレー・軌道相互作用による励起状態が近接するために、4H-SiC、6H-SiC中の窒素ドナーのような高い温度領域での長いT_Mは得られなかった。
ドナーを量子ビットに用いる提案は、ゲートに加える電圧により、ドナー電子の共鳴周波数を変化させることによりビットを選択すること、および、2つのドナーの電子雲のオーバーラップのON/OFF(交換相互作用のON/OFF)により論理ゲートが構成できることに基づいている。シリコン中の燐ドナーについて、電場印加による超微細相互作用の変化の実証を試みた。10kV/cmを超える電界を加えたが、線幅を越える^<31>P超微細相互分裂の大きさの変化は検出されなかった。
アンサンブル系ESR量子コンピュータの2ビット論理ゲートのデモンストレーションに向けたパルス技術の問題点の洗い出しと現状の技術に見合う試料の選択を行った。

報告書

(2件)
  • 2005 実績報告書
  • 2004 実績報告書
  • 研究成果

    (4件)

すべて 2006 2004

すべて 雑誌論文 (4件)

  • [雑誌論文] Electron paramagnetic resonance and theoretical studies of shallow phosphorous centers in 3C-, 4H- and 6H-SiC2006

    • 著者名/発表者名
      N.T.Son
    • 雑誌名

      Physical Review B 73

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Electron spin resonance characterization of phosphorus-doped CVD diamond films2004

    • 著者名/発表者名
      M.Katagiri
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (a) 201

      ページ: 2451-2456

    • 関連する報告書
      2005 実績報告書
  • [雑誌論文] Hyperfine interaction of the nitrogen donor in 4H-SiC2004

    • 著者名/発表者名
      N.T.Son
    • 雑誌名

      Physical Review B 70

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書
  • [雑誌論文] Lightly phosphorus-doped homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition2004

    • 著者名/発表者名
      M.Katagiri
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 85

      ページ: 6365-6367

    • 関連する報告書
      2004 実績報告書

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公開日: 2004-04-01   更新日: 2018-03-28  

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