| 配分額 *注記 |
26,300千円 (直接経費: 26,300千円)
2006年度: 7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
2005年度: 12,500千円 (直接経費: 12,500千円)
2004年度: 6,400千円 (直接経費: 6,400千円)
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| 研究概要 |
1.半導体ナノ構造の分光特性と走査プローブ顕微分光 CdTe量子ドットの非線形光学特性を解析し,2光子吸収断面積および非線形屈折率がサイズに大きく依存すること,性能指数はサイズが小さくなるほど大きくなる事を明らかにした。また,Sheik Bahaeの式を用いて非線形光学特性のサイズ依存性を理論解析した。量子ドットからCdTeナノワイヤも作成し,局所分光を行いその不均一性を明らかにした。また,励起子消滅は同じサイズの量子ドットと比較するとワイヤでその効果を受けにくいことが明らかとなった。さらに,ポリビニルアルコールとトレハロース中における単一微粒子の発光明滅を解析し,量子ドットをとりまく界面層が発光ダイナミクスに重要な役割を担っている事を明らかにした。また,低温合成したCdSe量子ドットおよび量子ロッドの合成を行い,その光物性の時間分解顕微分光,ニアフィールド分光による解析を行った。
2.銀ナノロッドの合成とレーザー分光による研究 銀ナノロッドを界面活性剤を用いる還元法で作製し,その過渡吸収ダイナミクスを解析した。その結果,電子-格子緩和は銀ナノドットよりも長くなると共に,ナノロッドに特有のサイズに依存した振動現象が観測され,このacoustic vibrationからアスペクト比やサイズを見積もる事が可能となった。
3.フォトニック結晶を用いた高帯域・高感度顕微過渡吸収分光法 フォトニック結晶を用いて発生させた白色光をプローブ光とするポンプ-プローブ顕微分光法を開発すると共に,InGaAsフォトダイオードを用い光学系を調整する事により近赤外領域で10^<-7>〜10^<-8>の吸収変化を時間分解して測定が可能となった。さらに,global pump,local probeの光学系を用いた時間分解SNOMで局所領域の過渡吸収ダイナミクスが観測可能となった。
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