| 研究課題/領域番号 |
16076212
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 青山学院大学 |
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研究代表者 |
秋光 純 青山学院大学, 理工学部, 教授 (80013522)
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| 研究分担者 |
今田 正俊 東京大学大学院, 工学系研究科, 教授 (70143542)
小口 多美夫 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (90253054)
古川 信夫 青山学院大学, 理工学部, 教授 (00238669)
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
111,200千円 (直接経費: 111,200千円)
2008年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2007年度: 8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
2006年度: 12,200千円 (直接経費: 12,200千円)
2005年度: 27,900千円 (直接経費: 27,900千円)
2004年度: 54,100千円 (直接経費: 54,100千円)
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| キーワード | 超伝導材料・素子 / 強相関電子系 / 低温物性 / 物性理論 / 先端機能デバイス |
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| 研究概要 |
p電子系およびd電子系において、BドープSiCやT2Ga9(T=Ir, Rh)などの新規超伝導体の開発に成功した。また、それらの詳細な物性測定、電子状態の計算や計算手法の確立を通じて数多くの超伝導体の超伝導発現メカニズムについて解析を行った。特に、Ln2C3(Ln=Y, La)における2ギャップ超伝導、CaAlSiにおける長周期構造と超伝導特性との相関、BドープSiCの超伝導発現機構を明らかにした。
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