| 研究課題/領域番号 |
16106009
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
吉田 豊信 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (00111477)
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| 研究分担者 |
幾原 雄一 東京大学, 工学部・総合研究機構, 教授 (70192474)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60205557)
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| 連携研究者 |
幾原 雄一 東京大学, 工学系研究科総合研究機構, 教授 (70192474)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60205557)
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| 研究期間 (年度) |
2004 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
113,490千円 (直接経費: 87,300千円、間接経費: 26,190千円)
2008年度: 9,880千円 (直接経費: 7,600千円、間接経費: 2,280千円)
2007年度: 21,710千円 (直接経費: 16,700千円、間接経費: 5,010千円)
2006年度: 18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2005年度: 23,660千円 (直接経費: 18,200千円、間接経費: 5,460千円)
2004年度: 40,040千円 (直接経費: 30,800千円、間接経費: 9,240千円)
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| キーワード | 高温耐環境デバイス / cBN 薄膜 / プラズマプロセス / ドーピング / プラズマ加工 / 先端機能デバイス / 半導体物性 / 表面・界面物性 / 材料加工・処理 / 先端機能デパイス / cubic boron nitride / hexagonal boron nitride / UV emission / wide band gap / doping / 立方晶窒化ホウ素 / 乱層構造sp2結合窒化ホウ素 / ワイドバンドギャップ / 電気伝導度 / ナノインデンテーション / turbostratic boron nitride / wide bandgap / sputtering / IVP-CVD |
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| 研究概要 |
アルミニウムが軟化するほどの高温や強い紫外・粒子線に晒される原子炉近傍などの過酷な環境下でも動作する立方晶窒化ホウ素(cBN)の薄膜を使った半導体デバイス創製基盤確立を目指し、二種の異なるプラズマプロセスを適用して、ガス・イオンエネルギー動的制御機構と不純物添加法を新規に開発し、cBN 薄膜で初めてとなる伝導度制御を実現すると共に、Si表面原子ステップへの部分的なエピタキシャル成長核を見出した。
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